IMLT65R040M2HXTMA1 vs IMLT65R060M2HXTMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IMLT65R040M2HXTMA1 bằng Infineon và IMLT65R060M2HXTMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IMLT65R040M2HXTMA1 - 650V 57A 40mOhm CoolSiC G2 MOSFET | Infineon
IMLT65R040M2HXTMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IMLT65R040M2HXTMA1 | IMLT65R060M2HXTMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench) | — |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET | Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC) | 57 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | 143 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) | 40 mΩ | — |
| On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) | 49 mΩ | — |
| Total Gate Charge QG | 28 nC | — |
| Output Charge QOSS @ 400 V | 53 nC | — |
| Output Energy EOSS @ 400 V | 7.2 µJ | — |
| Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) | 268 W | — |
| Recommended Gate Drive Voltage VGS | 18 V (turn-off: 0 V or negative) | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +150 °C | — |
| Hộp | PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled) | PG-HDSOP-16-6 (TOLT) with .XT interconnection |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC industrial | JEDEC-qualified for Industrial Applications |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Special Features | Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized | — |
| Series | — | CoolSiC™ G2 |
| Typical RDS(on) | — | 60 mΩ |
| Maximum RDS(on) | — | 73 mΩ |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 40 A |
| Điện áp rò rỉ xung | — | 96 A |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 200 W |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 18 nC |
| Gate-Drain Charge at 400 V (Qgd) | — | 36 nC |
| Output Capacitance Stored Energy at 400 V (Eoss) | — | 4.8 µJ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.5 V (benchmark) |
| Số chân | — | 16 |