IPD100N04S402ATMA1 vs IRF3205STRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD100N04S402ATMA1 bằng Infineon và IRF3205STRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD100N04S402ATMA1 - 40V 100A Automotive N-MOSFET | Infineon
IPD100N04S402ATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD100N04S402ATMA1 | IRF3205STRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Channel Type | N-channel | — |
| Operating Mode | Enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage | 40 V | — |
| Continuous Drain Current | 100 A at Tc | — |
| Power Dissipation | 150 W at Tc | — |
| On-Resistance | 4.0 mΩ | — |
| Configuration | Single MOSFET with built-in diode | — |
| Hộp | PG-TO252-3-313 surface-mount DPAK | TO-263-3 (D2PAK) |
| Số chân | 3 pins plus tab | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Avalanche Testing | 100% avalanche tested | — |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | — |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | — |
| Peak Reflow Temperature | 260°C | — |
| Moisture Sensitivity Level | MSL1 | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface mount | Surface Mount |
| Package Body Material | Plastic/epoxy | — |
| JEDEC Package Code | TO-252 | — |
| Gate Charge | [DATA_NEEDED: gate charge] | — |
| Điện áp mức ngưỡng cửa | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Reverse-Biased Safe Operating Area | [DATA_NEEDED: SOA data] | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 110 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 390 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) | — | 8 mΩ max @ Vgs=10V |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 97.3 nC typical |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 200 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) |
| Technology | — | HEXFET (advanced process) |
| Packaging | — | Tape & Reel (STRL) |