IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA2 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD35N10S3L26ATMA2 bằng Infineon và IPD70N10S312ATMA2 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon
IPD35N10S3L26ATMA2 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPD70N10S312ATMA2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD70N10S312ATMA2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | 70 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55C to +175C |
| Hộp | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| Số chân | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited floor life) |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA2 |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | — | 125 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Rated | — | Yes |