IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD35N10S3L26ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD70N10S312ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD70N10S312ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | 70 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55C to +175C |
| پیکیج | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| پن کی تعداد | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited floor life) |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA2 |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | — | 125 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Rated | — | Yes |