IPD35N10S3L26ATMA2 vs IPD70N10S312ATMA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD35N10S3L26ATMA2 מאת Infineon ו IPD70N10S312ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD35N10S3L26ATMA2 | IPD70N10S312ATMA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 35 A | 70 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max | 24 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc) | 71 W | — |
| Gate Threshold V<sub>GS(th)</sub> | [DATA_NEEDED: gate threshold typical/range] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55C to +175C |
| מארז | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| מספר פינים | 3 (Drain, Source, Gate + tab) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS-T) | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited floor life) |
| Part Number | — | IPD70N10S312ATMA2 |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | — | 125 W |
| On-State Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Rated | — | Yes |