IPD50P04P4L11ATMA2 vs IRFR5305TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD50P04P4L11ATMA2 bằng Infineon và IRFR5305TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD50P04P4L11ATMA2 | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | P-Channel MOSFET, enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage VDS | -40 V | — |
| Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) | -50 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) | 10.6 mΩ typical | — |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | -1.0 V to -2.5 V typical | — |
| Typical Gate Charge Qg | 45 nC | — |
| Power Dissipation PD (TC = 25 °C) | 58 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Số chân | 3 (Drain / Tab / Source / Gate) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -2 V to -4 V |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 110 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 270 mJ |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| Technology | — | HEXFET (IR MOSFET) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |