IRF7854TRPBF vs IRF7380TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRF7854TRPBF bằng Infineon và IRF7380TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRF7854TRPBF | IRF7380TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | $0,48 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 13.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | 4.9 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| Hộp | SO-8 | SO-8 (8-SO, SOIC-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (planar N-channel) | IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C (TJ) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | Yes (Pb-free plating, suffix PBF) |
| Qualification | JEDEC industrial, Normal level | — |
| Solder Process | Reflow and wave-solderable | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRF7380TRPBF |
| Configuration | — | Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.6 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 73 mOhm at VGS = 10 V |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 2 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +150 C |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed |
| Packaging | — | Tape & Reel (suffix TR) |
| Primary Application | — | High-frequency DC-DC converters |