IRFH8201TRPBF vs IRLH5030TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFH8201TRPBF bằng Infineon và IRLH5030TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFH8201TRPBF | IRLH5030TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | StrongIRFET (trench MOSFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 49 A | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 324 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 0.95 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.35 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC at VGS=10V | 44 nC |
| Output Capacitance (Coss) | 7.33 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 850 pF | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 156 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | — |
| Hộp | SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad | PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLH5030TRPBF |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 9 mOhm |
| Gate Drive Voltage (optimized) | — | 10 V (capable of 4.5 V) |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 3.6 W |
| Power Dissipation at TC=25C | — | 156 W |
| Thermal Resistance to PCB (RthJC) | — | 0.8 C/W |
| Profile Height | — | ≤ 0.9 mm |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| Rg Tested | — | 100% |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) |
| Industry-Standard Pinout | — | Yes |