IRFH8201TRPBF vs IRLH5030TRPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFH8201TRPBF מאת Infineon ו IRLH5030TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFH8201TRPBF | IRLH5030TRPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | StrongIRFET (trench MOSFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 49 A | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 324 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 0.95 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.35 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC at VGS=10V | 44 nC |
| Output Capacitance (Coss) | 7.33 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 850 pF | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 156 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | — |
| מארז | SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad | PQFN-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLH5030TRPBF |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 9 mOhm |
| Gate Drive Voltage (optimized) | — | 10 V (capable of 4.5 V) |
| Power Dissipation at TA=25C | — | 3.6 W |
| Power Dissipation at TC=25C | — | 156 W |
| Thermal Resistance to PCB (RthJC) | — | 0.8 C/W |
| Profile Height | — | ≤ 0.9 mm |
| Qualification | — | JEDEC standard |
| Rg Tested | — | 100% |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Lead-free, Bromide-free, Halogen-free) |
| Industry-Standard Pinout | — | Yes |