IRLL024NTRPBF vs IRFR024NTRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLL024NTRPBF bằng Infineon và IRFR024NTRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLL024NTRPBF | IRFR024NTRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET, Metal Oxide | — |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 3.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.4 A | 60 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.065 ohm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.4 nC | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic Level (5 V drive capable) | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | 1.0 W | — |
| Maximum Operating Junction Temperature | 175 C | — |
| Hộp | SOT-223 (4-pin) | TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Product Series | — | HEXFET Power MOSFET (5th generation) |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 17 A (at TC = 25 C) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 75 mOhm max (at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Typical Gate Charge (Qg) | — | 13.3 nC |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 45 W (at TC = 25 C) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| Packaging | — | Tape and Reel (TR) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free / PbF terminations) |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |