IRLR120NTRPBF vs IRLB4030PBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLR120NTRPBF bằng Infineon và IRLB4030PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLR120NTRPBF | IRLB4030PBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (Fifth Generation, planar) | HEXFET (StrongIRFET family) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed Idm] | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 185 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13.3 nC | 87 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 48 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C |
| Hộp | TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount | TO-220AB |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Through Hole |
| Avalanche Energy Rating | Fully avalanche rated | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates lead-free) | — |
| Cấp MSL | 1 | — |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 180 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 370 W |
| Logic Level Drive | — | Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) |
| Qualification | — | JEDEC |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |