IRLR3915TRPBF vs IPD30N06S2L13ATMA4 So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLR3915TRPBF bằng Infineon và IPD30N06S2L13ATMA4 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF - 55V 61A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3915TRPBF - 55V 61A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR3915TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLR3915TRPBF IPD30N06S2L13ATMA4
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Product Family HEXFET Power MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET, advanced process) Planar (OptiMOS)
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 61 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C 30 A (Tc, per distributor listing) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 14 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A]
Logic-Level Gate Drive Yes (logic-level compatible) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 120 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +175 C —
Hộp TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TO252-3-11 (DPAK)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Cấp MSL 1 —
Repetitive Avalanche Rating Improved (per datasheet) —
Switching Speed Fast —
Packaging Tape & Reel (TR) —
PBF / Lead-Free Yes (PBF suffix = lead-free) —
Part Family — OptiMOS
Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (Vds) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 136 W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +175 °C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Package)
Avalanche Tested — 100 % production-tested
On-State Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V]
Gate-Source Threshold (Vgs(th)) — Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max])
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V]
Diode Reverse Recovery (trr) — [DATA_NEEDED: trr typ]
Số chân — 3 (Drain tab + Gate + Source)
Tape and Reel Packaging — Yes (T&R per IEC 60286-3)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá