IRLR3915TRPBF vs IPD30N06S2L13ATMA4 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLR3915TRPBF توسط Infineon و IPD30N06S2L13ATMA4 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 - 55V 30A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N06S2L13ATMA4 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLR3915TRPBF IPD30N06S2L13ATMA4
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Product Family HEXFET Power MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET, advanced process) Planar (OptiMOS)
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 61 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C 30 A (Tc, per distributor listing) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 14 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 61 nC [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A]
Logic-Level Gate Drive Yes (logic-level compatible) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 120 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
محدوده دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TO252-3-11 (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
سطح MSL 1 —
Repetitive Avalanche Rating Improved (per datasheet) —
Switching Speed Fast —
Packaging Tape & Reel (TR) —
PBF / Lead-Free Yes (PBF suffix = lead-free) —
Part Family — OptiMOS
Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (Vds) — 55 V
Continuous Drain Current (Id) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 136 W (Tc)
دمای کاری — -55 °C to +175 °C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow)
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Package)
Avalanche Tested — 100 % production-tested
On-State Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V]
Gate-Source Threshold (Vgs(th)) — Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max])
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V]
Diode Reverse Recovery (trr) — [DATA_NEEDED: trr typ]
تعداد پایه — 3 (Drain tab + Gate + Source)
Tape and Reel Packaging — Yes (T&R per IEC 60286-3)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت