K4RAH165VB-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 So sánh

So sánh chi tiết song song của K4RAH165VB-BCWM bằng Samsung Electronics và PDRQL8KCBF12-00 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCWM K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RAH165VB-BCWM ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
PDRQL8KCBF12-00 PDRQL8KCBF12-00 - 16Gb DDR5-7200 DRAM | Samsung

PDRQL8KCBF12-00 - 16Gb DDR5-7200 DRAM | Samsung

PDRQL8KCBF12-00 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4RAH165VB-BCWM PDRQL8KCBF12-00
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR5 SDRAM (volatile DRAM) DDR5 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface Parallel —
Điện áp cung cấp 1.1 V 1.1 V
Technology DDR5 —
Hộp FBGA-106 FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Maximum Data Rate (DDR5 family) up to 7200 Mbps —
On-die ECC Yes Yes
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Speed Grade (suffix BCWM) [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] —
Packaging Tray —
Density — 16 Gb
Tổ chức — 2G x 8
Tốc độ dữ liệu — 7200 MT/s
Burst Length — 16 (BL16), burst chop 8 (BC8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Giao diện — Pseudo-differential DQ
Process Technology — 10nm-class
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá