K4RAH165VB-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4RAH165VB-BCWM توسط Samsung Electronics و PDRQL8KCBF12-00 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4RAH165VB-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| اندازه حافظه | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.1 V | 1.1 V |
| Technology | DDR5 | — |
| بسته‌بندی | FBGA-106 | FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | up to 7200 Mbps | — |
| On-die ECC | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Speed Grade (suffix BCWM) | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 16 Gb |
| سازمان | — | 2G x 8 |
| نرخ داده | — | 7200 MT/s |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| رابط | — | Pseudo-differential DQ |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |