K4S641632K-UC75 vs K4S641632H-UC75 So sánh
So sánh chi tiết song song của K4S641632K-UC75 bằng Samsung Electro-Mechanics và K4S641632H-UC75 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electro-Mechanics
K4S641632K-UC75 - 64Mb SDRAM 4Mx16 3.3V 54-TSOP II | Samsung
K4S641632K-UC75 ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4S641632H-UC75 - 64Mb H-die SDRAM 1M x 16 x 4 Banks | Samsung
K4S641632H-UC75 ObsoleteSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4S641632K-UC75 | K4S641632H-UC75 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Obsolete |
| Kiểu bộ nhớ | Synchronous DRAM (SDR SDRAM) | SDRAM (Synchronous DRAM) |
| Density | 64 Mbit (67,108,864 bits) | 64 Mb (67,108,864 bits) |
| Tổ chức | 4 banks x 1,048,576 words x 16 bits (4Mx16) | 1M x 16 bits x 4 Banks |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 3.3 V +/- 0.3 V | 3.3 V |
| Speed Grade | UC75 (133 MHz, CAS Latency 3, tCK = 7.5 ns) | — |
| Tần số xung maksimum | 133 MHz | — |
| CAS Latency (CL) | 2 or 3 (programmable) | — |
| Burst Length | 1, 2, 4, 8 or full page | 1, 2, 4, 8, Full Page |
| Refresh Cycles | 4096 (64 ms refresh interval) | — |
| Number of Banks | 4 | — |
| Address Multiplexing | Row: 12 bits, Column: 8 bits | Yes (RAS#, CAS# controlled) |
| Giao diện | 16-bit data bus, LVTTL-compatible | LVCMOS |
| Nhiệt độ hoạt động | 0 C to +70 C (Commercial) | 0C to +70C (Commercial) |
| Hộp | 54-pin TSOP-II | — |
| Package Outline | 10.16 mm x 22.22 mm, 0.8 mm pitch | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount (Tape & Reel) | — |
| Process Technology | Samsung high-performance CMOS | Samsung high-performance CMOS |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Clock Frequency | — | 133 MHz |
| Max Operating Current | — | 135 mA |
| Package Type | — | 54-pin TSOP-II |
| Lead Finish | — | Pb-Free (RoHS compliant) |
| Bank Architecture | — | 4 Banks |
| Burst Type | — | Sequential or Interleave |
| Refresh | — | Auto-Refresh and Self-Refresh |
| Data Width | — | 16 bits |