K4S641632K-UC75 vs K4S641632H-UC75 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4S641632K-UC75 מאת Samsung Electro-Mechanics ו K4S641632H-UC75 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electro-Mechanics
K4S641632K-UC75 K4S641632K-UC75 - 64Mb SDRAM 4Mx16 3.3V 54-TSOP II | Samsung

K4S641632K-UC75 - 64Mb SDRAM 4Mx16 3.3V 54-TSOP II | Samsung

K4S641632K-UC75 ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4S641632H-UC75 K4S641632H-UC75 - 64Mb H-die SDRAM 1M x 16 x 4 Banks | Samsung

K4S641632H-UC75 - 64Mb H-die SDRAM 1M x 16 x 4 Banks | Samsung

K4S641632H-UC75 Obsolete

השוואת מפרטים

פרמטר K4S641632K-UC75 K4S641632H-UC75
מותג Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל Obsolete
סוג זיכרון Synchronous DRAM (SDR SDRAM) SDRAM (Synchronous DRAM)
Density 64 Mbit (67,108,864 bits) 64 Mb (67,108,864 bits)
ארגון 4 banks x 1,048,576 words x 16 bits (4Mx16) 1M x 16 bits x 4 Banks
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 3.3 V +/- 0.3 V 3.3 V
Speed Grade UC75 (133 MHz, CAS Latency 3, tCK = 7.5 ns) —
תדר שעון מקסימלי 133 MHz —
CAS Latency (CL) 2 or 3 (programmable) —
Burst Length 1, 2, 4, 8 or full page 1, 2, 4, 8, Full Page
Refresh Cycles 4096 (64 ms refresh interval) —
Number of Banks 4 —
Address Multiplexing Row: 12 bits, Column: 8 bits Yes (RAS#, CAS# controlled)
ממשק 16-bit data bus, LVTTL-compatible LVCMOS
טמפרטורת פעולה 0 C to +70 C (Commercial) 0C to +70C (Commercial)
מארז 54-pin TSOP-II —
Package Outline 10.16 mm x 22.22 mm, 0.8 mm pitch —
סוג הרכבה Surface Mount (Tape & Reel) —
Process Technology Samsung high-performance CMOS Samsung high-performance CMOS
סטטוס RoHS Compliant —
Clock Frequency — 133 MHz
Max Operating Current — 135 mA
Package Type — 54-pin TSOP-II
Lead Finish — Pb-Free (RoHS compliant)
Bank Architecture — 4 Banks
Burst Type — Sequential or Interleave
Refresh — Auto-Refresh and Self-Refresh
Data Width — 16 bits

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר