K9MDG08U5M vs K9LCG08U1M So sánh

So sánh chi tiết song song của K9MDG08U5M bằng Samsung Electronics và K9LCG08U1M bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K9LCG08U1M K9LCG08U1M - 64Gbit MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9LCG08U1M - 64Gbit MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9LCG08U1M ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K9MDG08U5M K9LCG08U1M
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Flash
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ MLC Large Block NAND Flash NAND Flash, MLC
Density 16 Gbit (2 GB) 64 Gbit (8 GB)
Tổ chức 16G x 8 bit x8 I/O
Cell Type MLC (2 bits per cell) MLC (2 bits per cell)
Supply Voltage Min 2.7 V —
Supply Voltage Max 3.6 V —
Giao diện Asynchronous x8 multiplexed address/data Asynchronous multiplexed NAND I/O
Hộp 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm BGA
Terminals 48 —
Circuits 1 —
Die Configuration Dual stacked —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Page Read Time (tR) [DATA_NEEDED: tR] —
Program Time (tPROG) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Trạng thái RoHS unknown unknown
Điện áp cung cấp — [DATA_NEEDED: supply voltage]
Page Read Time — [DATA_NEEDED: page read time]
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Block Erase Time — [DATA_NEEDED: block erase time]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Ordering Codes — K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá