MRF5S19100HR5 vs MRF5S19100HR So sánh
So sánh chi tiết song song của MRF5S19100HR5 bằng NXP Semiconductors và MRF5S19100HR bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MRF5S19100HR5 | MRF5S19100HR |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Obsolete | Hoạt động |
| Kiểu transitor | LDMOS (RF Power) | — |
| Technology | N-Channel MOSFET | — |
| Frequency Band | 1.93 GHz to 1.99 GHz | — |
| Output Power (Pout) | 22 W | — |
| Power Gain at Test | 13.9 dB | — |
| Drain-Source Voltage Rated (Vdss) | 65 V | — |
| Test Voltage (Vd) | 28 V | — |
| Test Current (Id) | 1 A | — |
| Hộp / Vỏ | NI-780 (3-pin ceramic flange) | — |
| Supplier Device Package | NI-780 | — |
| Kiểu lắp đặt | Chassis Mount / Flange | Flange / bolt-down, surface-mount RF |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Part Status | Obsolete | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: rohs status] | Compliant (per NXP product page) |
| Lead Finish | [DATA_NEEDED: lead finish] | — |
| ESD Protection | Yes (per datasheet) | Gate-source ESD diodes integrated |
| Channel Temperature (Tj max) | [DATA_NEEDED: junction temp absolute maximum] | — |
| Manufacturer | — | NXP Semiconductors |
| Part Family | — | MRF5S19090 / MRF5S19100 |
| Device Type | — | N-Channel Enhancement-Mode Lateral RF Power MOSFET |
| Frequency Range | — | 1930 - 1990 MHz |
| Output Power (Avg) | — | 22 W (2-carrier N-CDMA) |
| Output Power (PEP) | — | 100 W (typical, single tone) |
| Power Gain | — | 13.9 dB (typical at Pout = 22 W) |
| Drain Efficiency | — | >30% (typical, 2-carrier) |
| Drain-Source Voltage (Max) | — | 65 V |
| Drain Operating Voltage | — | 28 V nominal |
| Quiescent Current (IDQ) | — | 1000 mA |
| Gate-Source Voltage (Max) | — | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -40C to +200C |
| Hộp | — | NI-780 (ceramic flange) |
| Polarity / Channel | — | N-Channel, dual-die |
| Đông trùng haogen | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |
| Storage Temperature | — | -65C to +200C (per NXP RF Power standard) |