MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NBJR-VKC So sánh

So sánh chi tiết song song của MT40A2G8AG-062E bằng Micron Technology và H5ANAG8NBJR-VKC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Hoạt động
SK hynix
H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-VKC - 16Gb DDR4-2666 SDRAM x8 FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-VKC - 16Gb DDR4-2666 SDRAM x8 FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-VKC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MT40A2G8AG-062E H5ANAG8NBJR-VKC
Thương hiệu Micron Technology SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Tổ chức 2G x 8 2G x 8
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
Latency CAS CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
Hộp 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Die Revision AG (current generation) —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Điện áp cung cấp — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Nhiệt độ hoạt động — 0C to +85C
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá