NT5CB256M16CP-DI vs NT5CB256M16CP-DIH 比較

詳細並排比較 NT5CB256M16CP-DI 由 Nanya Technology 與 NT5CB256M16CP-DIH 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

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NT5CB256M16CP-DIH NT5CB256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DIH ✓ 啟用中

規格比較

參數 NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DIH
品牌 Nanya Technology Nanya Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
組織 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4Gb
供應電壓 1.35 V (DDR3L) —
資料速率 1600 Mbps/pin (max) 1600Mbps (DDR3L-1600)
封裝 TFBGA-96 96-ball TFBGA
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 5, 6, 7, 8, 9
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
工作溫度範圍 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (±0.075V)
Internal Banks — 8 (BA0-BA2)
WRITE Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
介面 — SSTL_15
工作溫度 — -40°C to +95°C (industrial)
REACH — Compliant
Process Technology — 70nm

資料表與資源

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