NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA 对比

详细并排对比 NT5CB256M16CP-DI 出自 Nanya Technology 和 K4B4G1646E-BYMA 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 量产中
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 量产中

规格对比

参数 NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
品牌 Nanya Technology Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.50 $14.32
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
存储组织 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
电源电压 1.35 V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
数据速率 1600 Mbps/pin (max) 1866 Mbps/pin
封装 TFBGA-96 FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
工作温度范围 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
工作温度 — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
安装类型 — Surface Mount
CAS 延迟 — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
引脚数 — 96

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