NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5CB256M16CP-DI от Nanya Technology и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Активен
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
Бренд Nanya Technology Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,50 $14,32
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Организация памяти 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
Напряжение питания 1.35 V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Скорость передачи данных 1600 Mbps/pin (max) 1866 Mbps/pin
Корпус TFBGA-96 FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
Рабочая температура — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Тип монтажа — Surface Mount
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
Количество выводов — 96

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену