NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NT5CB256M16CP-DI von Nanya Technology und K4B4G1646E-BYMA von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
Marke Nanya Technology Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $14,32
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
Versorgungsspannung 1.35 V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Datenrate 1600 Mbps/pin (max) 1866 Mbps/pin
Gehäuse TFBGA-96 FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
Betriebstemperatur — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Montageart — Surface Mount
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
Anzahl der Pins — 96

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