NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CB256M16CP-DI par Nanya Technology et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CB256M16CP-DI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Débit de données | 1600 Mbps/pin (max) | 1866 Mbps/pin |
| Boîtier | TFBGA-96 | FBGA-96 |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Additive Latency | 0-13 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Differential Clock Input | Yes (CK, CK#) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Nombre de broches | — | 96 |