NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA 比較

詳細な並列比較: NT5CB256M16CP-DI メーカー: Nanya Technology および K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
ブランド Nanya Technology Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.50 $14.32
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
電源電圧 1.35 V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
データレート 1600 Mbps/pin (max) 1866 Mbps/pin
パッケージ TFBGA-96 FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
動作温度範囲 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
動作温度 — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
実装タイプ — Surface Mount
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
ピン数 — 96

データシート&リソース

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