NT5CB256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5CB256M16CP-DI 제조: Nanya Technology 및 K4B4G1646E-BYMA 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 활성
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5CB256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
브랜드 Nanya Technology Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.50 $14.32
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb 4 Gb
공급 전압 1.35 V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
데이터 속도 1600 Mbps/pin (max) 1866 Mbps/pin
패키지 TFBGA-96 FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
동작 온도 범위 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Clock Frequency — 933 MHz
동작 온도 — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
실장 유형 — Surface Mount
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
핀 수 — 96

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