1EBN1001AEXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EBN1001AEXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3142MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EBN1001AEXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster —
Series EiceDRIVER™ Boost (1EBN family) —
Configuration High-Side / Low-Side (non-inverting booster) Inverting, Non-Inverting
عدد المخارج 2 (separate source and sink paths) 2 (separate source/sink)
Peak Output Current ±15 A —
Number of Drivers 1 —
Input Signal ASC input, active-clamping disable —
Active Clamping Yes (very fast reaction time) —
العلبة PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C (automotive grade) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
حالة RoHS Compliant —
Target Switching Stage Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر