1EBN1001AEXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EBN1001AEXUMA1 מאת Infineon ו 1ED3142MC12HXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EBN1001AEXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster —
Series EiceDRIVER™ Boost (1EBN family) —
Configuration High-Side / Low-Side (non-inverting booster) Inverting, Non-Inverting
מספר יציאות 2 (separate source and sink paths) 2 (separate source/sink)
Peak Output Current ±15 A —
Number of Drivers 1 —
Input Signal ASC input, active-clamping disable —
Active Clamping Yes (very fast reaction time) —
מארז PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C (automotive grade) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
סטטוס RoHS Compliant —
Target Switching Stage Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר