1EBN1001AEXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EBN1001AEXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3142MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EBN1001AEXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster —
Series EiceDRIVER™ Boost (1EBN family) —
Configuration High-Side / Low-Side (non-inverting booster) Inverting, Non-Inverting
Çıkış Sayısı 2 (separate source and sink paths) 2 (separate source/sink)
Peak Output Current ±15 A —
Number of Drivers 1 —
Input Signal ASC input, active-clamping disable —
Active Clamping Yes (very fast reaction time) —
Paket PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -40 °C to +125 °C (automotive grade) —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS Durumu Compliant —
Target Switching Stage Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin