1ED3142MU12FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3142MU12FXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED3142MU12FXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Galvanically Isolated Gate Driver IC —
Number of Channels 1 —
Peak Source/Sink Output Current 6.5 A (typical) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (DigiKey rating) 3000 Vrms —
Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) 2300 V —
Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max] —
Input Supply Voltage (VCC1) [DATA_NEEDED: value] —
Propagation Delay (typical) 42 ns —
Target Power Switches SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs —
العلبة PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8) PG-DSO-8 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: junction/ambient range] —
Protection Features UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection —
Output Stage Separate source/sink pins, totem-pole —
حالة RoHS Compliant Compliant
Family Infineon EiceDRIVER 1ED31xx —
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
عدد المخارج — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 30 ns
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر