1ED3142MU12FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED3142MU12FXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
1ED3142MU12FXUMA1 - 6.5A Isolated Gate Driver SiC/IGBT | Infineon
1ED3142MU12FXUMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 1ED3142MU12FXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Product Type | Galvanically Isolated Gate Driver IC | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Peak Source/Sink Output Current | 6.5 A (typical) | — |
| Isolation Technology | Coreless Transformer (CT) | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (DigiKey rating) | 3000 Vrms | — |
| Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) | 2300 V | — |
| Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) | [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max] | — |
| Input Supply Voltage (VCC1) | [DATA_NEEDED: value] | — |
| Propagation Delay (typical) | 42 ns | — |
| Target Power Switches | SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs | — |
| Paket | PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: junction/ambient range] | — |
| Protection Features | UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection | — |
| Output Stage | Separate source/sink pins, totem-pole | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Family | Infineon EiceDRIVER 1ED31xx | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Çıkış Sayısı | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Artış Süresi | — | 15 ns |
| Düşüş Süresi | — | 30 ns |
| İşletim Sıcaklığı | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |