1ED3142MU12FXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1ED3142MU12FXUMA1 द्वारा Infineon और 1ED3124MC12HXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
1ED3142MU12FXUMA1 - 6.5A Isolated Gate Driver SiC/IGBT | Infineon
1ED3142MU12FXUMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1ED3142MU12FXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Product Type | Galvanically Isolated Gate Driver IC | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Peak Source/Sink Output Current | 6.5 A (typical) | — |
| Isolation Technology | Coreless Transformer (CT) | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (DigiKey rating) | 3000 Vrms | — |
| Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) | 2300 V | — |
| Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) | [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max] | — |
| Input Supply Voltage (VCC1) | [DATA_NEEDED: value] | — |
| Propagation Delay (typical) | 42 ns | — |
| Target Power Switches | SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs | — |
| पैकेज | PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: junction/ambient range] | — |
| Protection Features | UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection | — |
| Output Stage | Separate source/sink pins, totem-pole | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Family | Infineon EiceDRIVER 1ED31xx | — |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| आउटपुट की संख्या | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| राइज़ टाइम | — | 15 ns |
| फॉल टाइम | — | 30 ns |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |