1EDI20I12MFXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDI20I12MFXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
1EDI20I12MFXUMA1 1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver | Infineon

1EDI20I12MFXUMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDI20I12MFXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Isolated single-channel high-side gate driver —
Isolation Type Galvanic (coreless transformer) —
Number of Channels 1 —
Output Current (Source/Sink) 2 A peak —
Active Miller Clamp Current 2 A —
Maximum Operating Voltage (Switch side) 1200 V —
Propagation Delay (typ.) 300 ns —
Input Logic Inverting / Non-inverting —
تكوين الخرج Single high-side driver —
Minimum Creepage 4 mm —
Short Circuit Protection Yes (clamping) —
العلبة PG-DSO-8-51 (8-pin DSO, 4 mm creepage) PG-DSO-8 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
Supply Voltage (Secondary) [DATA_NEEDED: secondary supply voltage range] —
CMTI [DATA_NEEDED: common-mode transient immunity] —
UVLO Yes (secondary side) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Configuration — High-side / Low-side (non-inverting)
Number of Drivers — 1
عدد المخارج — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 30 ns
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر