1EDI20I12MFXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 1EDI20I12MFXUMA1 bằng Infineon và 1ED3124MC12HXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 1EDI20I12MFXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Chức năng | Isolated single-channel high-side gate driver | — |
| Isolation Type | Galvanic (coreless transformer) | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Output Current (Source/Sink) | 2 A peak | — |
| Active Miller Clamp Current | 2 A | — |
| Maximum Operating Voltage (Switch side) | 1200 V | — |
| Propagation Delay (typ.) | 300 ns | — |
| Input Logic | Inverting / Non-inverting | — |
| Cấu hình đầu ra | Single high-side driver | — |
| Minimum Creepage | 4 mm | — |
| Short Circuit Protection | Yes (clamping) | — |
| Hộp | PG-DSO-8-51 (8-pin DSO, 4 mm creepage) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 C to +125 C |
| Supply Voltage (Secondary) | [DATA_NEEDED: secondary supply voltage range] | — |
| CMTI | [DATA_NEEDED: common-mode transient immunity] | — |
| UVLO | Yes (secondary side) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Số lượng đầu ra | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Thời gian tăng lên | — | 15 ns |
| Thời gian giảm dần | — | 30 ns |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |