1EDI20I12MFXUMA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDI20I12MFXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 1EDI20I12MFXUMA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Fonksiyon | Isolated single-channel high-side gate driver | — |
| Isolation Type | Galvanic (coreless transformer) | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Output Current (Source/Sink) | 2 A peak | — |
| Active Miller Clamp Current | 2 A | — |
| Maximum Operating Voltage (Switch side) | 1200 V | — |
| Propagation Delay (typ.) | 300 ns | — |
| Input Logic | Inverting / Non-inverting | — |
| Çıkış Konfigürasyonu | Single high-side driver | — |
| Minimum Creepage | 4 mm | — |
| Short Circuit Protection | Yes (clamping) | — |
| Paket | PG-DSO-8-51 (8-pin DSO, 4 mm creepage) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 C to +125 C |
| Supply Voltage (Secondary) | [DATA_NEEDED: secondary supply voltage range] | — |
| CMTI | [DATA_NEEDED: common-mode transient immunity] | — |
| UVLO | Yes (secondary side) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Configuration | — | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Çıkış Sayısı | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Artış Süresi | — | 15 ns |
| Düşüş Süresi | — | 30 ns |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |