1EDN7116GXTMA1 vs 1ED44176N01FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7116GXTMA1 بواسطة Infineon و 1ED44176N01FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7116GXTMA1 1ED44176N01FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C —
العلبة PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL3 [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Configuration — Non-inverting, single-channel, low-side
Number of Channels — 1
Input Compatibility — CMOS, TTL
VCC Supply Voltage Range — 4.5 V to 25 V
Peak Source Current (typ.) — 0.8 A
Peak Sink Current (typ.) — 1.75 A
Propagation Delay (typ.) — 50 ns
OCP Threshold Tolerance — ±5%
OCP Reference — 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing)
Enable Input — Yes (EN, active-high)
Fault Output — Yes (FAULT, open-drain)
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Family — EiceDRIVER

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر