1EDN7116GXTMA1 vs 1ED44176N01FXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7116GXTMA1 بذریعہ Infineon اور 1ED44176N01FXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7116GXTMA1 1ED44176N01FXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فنکشن Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 °C to +125 °C —
پیکیج PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL3 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Configuration — Non-inverting, single-channel, low-side
Number of Channels — 1
Input Compatibility — CMOS, TTL
VCC Supply Voltage Range — 4.5 V to 25 V
Peak Source Current (typ.) — 0.8 A
Peak Sink Current (typ.) — 1.75 A
Propagation Delay (typ.) — 50 ns
OCP Threshold Tolerance — ±5%
OCP Reference — 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing)
Enable Input — Yes (EN, active-high)
Fault Output — Yes (FAULT, open-drain)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +125 C
Family — EiceDRIVER

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں