1EDN7116GXTMA1 vs 1ED44176N01FXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7116GXTMA1 توسط Infineon و 1ED44176N01FXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7116GXTMA1 1ED44176N01FXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver with integrated OCP, FAULT, EN
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
محدوده دمای کاری -40 °C to +125 °C —
بسته‌بندی PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) 8-pin PG-DSO8 (SOIC-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL3 [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Configuration — Non-inverting, single-channel, low-side
Number of Channels — 1
Input Compatibility — CMOS, TTL
VCC Supply Voltage Range — 4.5 V to 25 V
Peak Source Current (typ.) — 0.8 A
Peak Sink Current (typ.) — 1.75 A
Propagation Delay (typ.) — 50 ns
OCP Threshold Tolerance — ±5%
OCP Reference — 800 mV to 1.2 V (per LCSC listing)
Enable Input — Yes (EN, active-high)
Fault Output — Yes (FAULT, open-drain)
دمای کاری — -40 C to +125 C
Family — EiceDRIVER

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت