1EDN7126GXTMA1 vs TLF11251LDXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7126GXTMA1 بواسطة Infineon و TLF11251LDXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7126GXTMA1 TLF11251LDXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET Half-Bridge Gate Driver
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-VSON-10-4 PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) CMOS / TTL (non-inverting)
تكوين الخرج — Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side)
نوع الخرج — Non-Inverting
Peak Output Current — 2.5 A (source/sink)
زمن الصعود — 60 ns (typical)
زمن السقوط — 60 ns (typical)
Supply Voltage Range — 3.5 V to 7 V
Number of Drivers — 1 (half-bridge)
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1)
Automotive Qualification — AEC-Q100
Protection Features — Shoot-through protection, UVLO

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر