1EDN7126GXTMA1 vs TLF11251LDXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7126GXTMA1 tarafından Infineon ve TLF11251LDXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7126GXTMA1 TLF11251LDXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET Half-Bridge Gate Driver
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C —
Paket PG-VSON-10-4 PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) CMOS / TTL (non-inverting)
Çıkış Konfigürasyonu — Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side)
Çıkış Türü — Non-Inverting
Peak Output Current — 2.5 A (source/sink)
Artış Süresi — 60 ns (typical)
Düşüş Süresi — 60 ns (typical)
Supply Voltage Range — 3.5 V to 7 V
Number of Drivers — 1 (half-bridge)
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1)
Automotive Qualification — AEC-Q100
Protection Features — Shoot-through protection, UVLO

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin