1EDN7126GXTMA1 vs TLF11251LDXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7126GXTMA1 מאת Infineon ו TLF11251LDXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7126GXTMA1 TLF11251LDXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET Half-Bridge Gate Driver
Configuration Non-Inverting —
Channel Type Single —
Driven Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC max value] —
Peak Source Current 1.5 A —
Peak Sink Current 1.5 A —
Common-Mode Voltage (CMR) 200 V —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Propagation Delay (Typ.) [DATA_NEEDED: tpd typical value] —
Rise / Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] —
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
מארז PG-VSON-10-4 PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Reach Compliant —
Lead-Free Yes —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) CMOS / TTL (non-inverting)
תצורת מוצא — Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side)
סוג פלט — Non-Inverting
Peak Output Current — 2.5 A (source/sink)
זמן עלייה — 60 ns (typical)
זמן ירידה — 60 ns (typical)
Supply Voltage Range — 3.5 V to 7 V
Number of Drivers — 1 (half-bridge)
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1)
Automotive Qualification — AEC-Q100
Protection Features — Shoot-through protection, UVLO

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר