1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7146GXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7511BXUSA1 بواسطة Infineon و 1EDN7146GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7511BXUSA1 1EDN7146GXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Low-Side, Single Channel High-side, single-channel
Number of Drivers 1 1
عدد المخارج 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
زمن الصعود [DATA_NEEDED: rise time ns] —
زمن السقوط 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
جهد التغذية التشغيلي [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C —
العلبة PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
نوع التركيب Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Logic Type — Non-Inverting
Input Type — TDI (Truly Differential Inductor)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
مستوى MSL — 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر