1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7511BXUSA1 tarafından Infineon ve 1EDN7146GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7511BXUSA1 1EDN7146GXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Type Low-Side, Single Channel High-side, single-channel
Number of Drivers 1 1
Çıkış Sayısı 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Artış Süresi [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Düşüş Süresi 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
İşletim Besleme Gerilimi [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +150 C —
Paket PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
Montaj Türü Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Logic Type — Non-Inverting
Input Type — TDI (Truly Differential Inductor)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated
İşletim Sıcaklığı — -40 C to +125 C
MSL Seviyesi — 1

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin