1EDN7511BXUSA1 vs 1EDN7146GXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7511BXUSA1 بذریعہ Infineon اور 1EDN7146GXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7511BXUSA1 1EDN7146GXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Driver Type Low-Side, Single Channel High-side, single-channel
Number of Drivers 1 1
آؤٹ پٹس کی تعداد 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
رائز ٹائم [DATA_NEEDED: rise time ns] —
فال ٹائم 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
آپریٹنگ سپلائی وولٹیج [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS —
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 C to +150 C —
پیکیج PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-VSON-10-4
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Logic Type — Non-Inverting
Input Type — TDI (Truly Differential Inductor)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40 C to +125 C
MSL لیول — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں