1EDN7511BXUSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7511BXUSA1 بواسطة Infineon و 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7511BXUSA1 2EDN7533RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Low-Side, Single Channel —
Number of Drivers 1 —
عدد المخارج 1 —
Configuration Inverting, Non-Inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
زمن الصعود [DATA_NEEDED: rise time ns] —
زمن السقوط 4.5 ns —
Propagation Delay ±5 ns (matched) —
جهد التغذية التشغيلي [DATA_NEEDED: VCC range V] —
Input Logic Compatibility TTL / CMOS LV-TTL
UVLO Protection Yes (integrated) —
Output Stage True low-impedance complementary rail-to-rail —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C —
العلبة PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount (SMD/SMT) Surface Mount
Packaging Cut Tape (Tape & Reel available) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
الوظيفة — Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels — 2
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Rise/Fall Time — 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40 C to +150 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر