1N5711 vs 1N6263 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1N5711 بواسطة STMicroelectronics و 1N6263 بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1N5711 1N6263
العلامة التجارية STMicroelectronics STMicroelectronics
الفئة Diodes Diodes
حالة دورة الحياة نشط نشط
Diode Type Small-signal Schottky barrier (RF) diode Small Signal Schottky (metal-to-silicon junction)
Peak Reverse Voltage (VRRM) 70 V —
Continuous Forward Current (IF) 15 mA —
Power Dissipation 430 mW 400 mW
Forward Voltage (VF) 0.41 V (at 1 mA, per MACOM) [DATA_NEEDED: forward voltage]
Total Capacitance 2 pF —
Junction Capacitance (Cj) 1 pF —
Dynamic Resistance 35 ohm —
Breakdown Voltage (VB) 70 V —
Switching Speed Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage) —
Junction Structure Metal-to-silicon junction with PN guard ring —
العلبة DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass DO-35 (axial, through-hole glass)
نوع التركيب Through-Hole Through Hole
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Reverse Leakage Current [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR] —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 60 V
Average Forward Current (IF) — 15 mA
Reverse Leakage Current (IR) — [DATA_NEEDED: reverse leakage current]
Junction Capacitance — [DATA_NEEDED: junction capacitance]
Reverse Recovery Time — Ultrafast (no stored charge, barrier-limited)
Surge Current Rating (IFSM) — [DATA_NEEDED: surge current]
Technology — Guard-ring Schottky barrier
Application Focus — UHF/VHF detection, pulse applications, broad dynamic range
Number of Elements — 1
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر