1N5711 vs 1N6263 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1N5711 par STMicroelectronics et 1N6263 par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 1N5711 1N6263
Marque STMicroelectronics STMicroelectronics
Catégorie Diodes Diodes
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,18 $0,12
Diode Type Small-signal Schottky barrier (RF) diode Small Signal Schottky (metal-to-silicon junction)
Peak Reverse Voltage (VRRM) 70 V —
Continuous Forward Current (IF) 15 mA —
Power Dissipation 430 mW 400 mW
Forward Voltage (VF) 0.41 V (at 1 mA, per MACOM) [DATA_NEEDED: forward voltage]
Total Capacitance 2 pF —
Junction Capacitance (Cj) 1 pF —
Dynamic Resistance 35 ohm —
Breakdown Voltage (VB) 70 V —
Switching Speed Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage) —
Junction Structure Metal-to-silicon junction with PN guard ring —
Boîtier DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass DO-35 (axial, through-hole glass)
Type de montage Through-Hole Through Hole
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Reverse Leakage Current [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR] —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) — 60 V
Average Forward Current (IF) — 15 mA
Reverse Leakage Current (IR) — [DATA_NEEDED: reverse leakage current]
Junction Capacitance — [DATA_NEEDED: junction capacitance]
Reverse Recovery Time — Ultrafast (no stored charge, barrier-limited)
Surge Current Rating (IFSM) — [DATA_NEEDED: surge current]
Technology — Guard-ring Schottky barrier
Application Focus — UHF/VHF detection, pulse applications, broad dynamic range
Number of Elements — 1
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Fiches techniques et ressources

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