2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED21834S06JXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED2183S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2ED21834S06JXUMA1 | 2ED2183S06FXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Type | Half-Bridge Gate Driver IC | — |
| Configuration | Half-bridge (high-side + low-side) | High Side, Low Side, Non-Inverting |
| Maximum Offset Voltage (VBS) | 650 V | — |
| Typical Sink Current | 2.5 A | — |
| Typical Source Current | 2.5 A | — |
| Input Logic | Non-Inverting | — |
| Integrated Bootstrap Diode | Yes | — |
| Technology | SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage | SOI (Silicon-On-Insulator) |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VBS) | — |
| العلبة | PG-DSO-14-49 (DSO-14) | PG-DSO-8-53 (DSO-8) |
| عدد الدبابيس | 14 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 °C to +125 °C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Standard Reel Quantity | 3000 | — |
| Driver Type | — | Half-Bridge Gate Driver |
| Number of Drivers | — | 1 |
| عدد المخارج | — | 1 (half-bridge: high-side + low-side) |
| Maximum Offset Voltage | — | 650 V |
| Output Current (Sink/Source) | — | 2.5 A typical |
| زمن الصعود | — | 15 ns |
| زمن السقوط | — | 15 ns |
| Supply Voltage (VCC) | — | 10 V to 20 V |
| Bootstrap Supply (VBS) | — | 10 V to 20 V (typ.) |
| Logic Input Voltage | — | 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) |
| Input Type | — | Non-Inverting |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | VCC and VBS |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40 C to +125 C |
| مستوى MSL | — | 2 |
| Terminal Finish | — | Tin (e3 per JESD-609) |