2ED21834S06JXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED21834S06JXUMA1 מאת Infineon ו 2ED2183S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED21834S06JXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage SOI (Silicon-On-Insulator)
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
מארז PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
מספר פינים 14 —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Number of Drivers — 1
מספר יציאות — 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
זמן עלייה — 15 ns
זמן ירידה — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — VCC and VBS
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
רמת MSL — 2
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר